【引止】

基于机械进建而斥天的存算一体操做正日益展现出其尾要性，同时也驱动着对于去世少专用、最新真现质料节能电子硬件的基于需供。与将处置战存储单元并吞的单层冯诺依曼挨算系统不开，脑仿去世内存合计可能约莫正在统一底子器件挨算中真现逻辑运行战数据存储，半导从而有看赫然降降合计的体质能量耗益。尽管古晨有小大量的器件钻研专一于探供器件挨算，但构建可用于上述器件设念的设念幻念质料仄台依然难题重重。

【功能简介】

针对于那一问题下场，存算一体洛桑联邦理工教院的最新真现质料Andras Kis（通讯做者）团队钻研探供了小大里积两硫化钼做为活性通讲质料用于去世少逻辑内存（logic-in-memory）器件战电路的可能性。钻研操做单层两硫化钼通讲组成电导可被细准连绝调控的基于浮栅场效应管（FGFETs），操做那些FGFETs做为构建模块可设念制制操做存储单元即可直接实现逻辑运算的单层逻辑电路。魔难检验证实，半导那一器件妄想合计可能约莫实现重大的体质可法式化逻辑战一系列运算，批注簿本级薄度半导体质料正在去世少下一代低功率电子器件圆里具备潜在的器件操做价钱。2020年11月04日，相闭功能以题为“Logic-in-memory based on an atomically thin semiconductor”的文章正在线宣告正在Nature上。

【图文导读】

图1内存器件的挨算

图2非易掉踪性存储表征

图3基于两硫化钼存储单元的可法式化顺变器（inverter）

图4 逻辑内存

文献链接：Logic-in-memory based on an atomically thin semiconductor（Nature, 2020, DOI: 10.1038/s41586-020-2861-0）

本文由质料人教术组NanoCJ供稿。

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